5月12日，据“浙大杭州科创中心”官微消息，浙江大学科创中心-乾晶半导体联合实验室已成功研制出厚度达27毫米的8英寸n型碳化硅单晶锭，并加工获得了8英寸碳化硅衬底片，成功跻身8英寸碳化硅俱乐部。

(资料图)

截至目前，全球已有18家企业/机构成功研制8英寸碳化硅，而中国企业数量达到10家。

值得一提的是，浙大的8吋SiC单晶突破依托的是PVT多段式电阻加热策略，此前，优晶光电也凭借电阻法SiC长晶设备实现了8英寸SiC晶体的稳定生长（.点这里.）。

为什么电阻法长晶能加速8吋SiC衬底的研发和量产？电阻法长晶工艺究竟有哪些优势？

5月25日，优晶光电董事长刘春艳已确认参加在上海举办的『汽车与光储充SiC应用及供应链升级大会』，届时，她将在会上带来《电阻法工艺适用于大尺寸生长碳化硅晶体》的主题报告。

优晶光电的报告将涉及碳化硅8英寸电阻长晶炉、8英寸碳化硅单晶制备等设备与关键技术等内容。从热场结构和晶体生长工艺等方面，详细剖析电阻法在大尺寸碳化硅晶体生长中的优势。

此外，他们还将通过展台展示的方式，向观众展示他们的6-8英寸SiC长晶技术合作装备，以及相关的落地案例。

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本届大会还将重点打造SiC产业链“新技术、新产品”专场展览，将广邀业内知名的企业，全面展示产业链的最新技术，以期向观众呈现一场集行业交流、渠道联动、资源聚合于一体的行业顶尖盛会。

本次大会，名企荟萃，除优晶光电外，西湖仪器、中电科55所、Wolfspeed、英飞凌、泰科天润、汇川动力、明锐理想、爱发科、KLA等企业也将带来重磅演讲！

与此同时，西湖仪器、明锐理想、山西天成、昕感科技、优晶光电、特思迪、快克、晟芯半导体、昇先创、KLA、青昀、弘元半导体、中科同志等企业也将在现场对外展示他们的碳化硅相关产品及技术等。

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